海飞乐技术N沟道200V MOSFET场效应管现货选型
| Voltage (V) | Current (A) | Rdson (Ohm) | Package | 应用领域 | |
| TYP | MAX | ||||
| 200 | 2 | 2.4 | 3 | SOT-23 | 逆变器、去频闪 |
| 200 | 5 | 2.4 | 3 | TO-251/252 | 逆变器、去频闪 |
| 200 | 5 | 500m | 650m | TO-251/252 | 逆变器、去频闪 |
| 200 | 9 | 230m | 280m | TO-251/252/220 | 逆变器、去频闪、、通信电源 |
| 200 | 18 | 120m | 180m | TO-251/252/220F | 逆变器、去频闪、、通信电源 |
| 200 | 20 | 100m | 120m | TO-251/252/220F | 逆变器、去频闪、、通信电源 |
| 200 | 18 | 120m | 180m | TO-220 | 逆变器、去频闪、、通信电源 |
| 200 | 40 | 50m | 65m | TO-220/220F/3P/247 | 110V开关，逆变器、通信电源 |
| 200 | 50 | 40m | 50m | TO-3P/247 | 110V开关，逆变器、通信电源 |
| 200 | 60 | 29m | 40m | TO-3P/247 | 110V开关，逆变器、通信电源 |
| 200 | 80 | 20m | 30m | TO-3P | 工业电源、通信电源 |
| 200 | 100 | 20m | 30m | SOT-227B | 工业电源、通信电源 |
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管在电路图中多用“Q”或“U”表示。
场效应管是电压控制型器件，有三个电极：栅极、漏极、源极。
场效应管通常在模拟电路中作为放大元件使用，在数字电路中作开关元件使用。
特点：输入阻抗高，开关速度快，高频特性好，热稳定性好。
MOSFET作用：
MOS管在硬件产品中多用于做开关，放大作用的MOS管基本都集成在芯片里面。
满足开关的条件是：VGS有电压差，MOS管就导通。没有电压差，MOS管就关闭。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。