海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！ 

海飞乐技术N沟道100V MOSFET场效应管现货选型

Voltage (V)	Current (A)	Rdson (Ohm)		Package	用途
		TYP	MAX

100	2	200m	250m	SOT-23/SOT-89	开关
100	3	130m	175m	SOT-23/SOT-89	开关
100	3	130m	175m	DFN3.3*3.3(双）	开关
100	5	80m	100m	SOT-23/SOT-89	开关
100	10	125m	150m	TO-251/252	开关
100	12	12m	16m	SOP-8	开关
100	12	9m	12m	SOP-8	开关
100	20	3.5m	4.5m	SOP-8	开关
100	15	75m	100m	TO-251/252/220	开关
100	15	40m	60m	TO-251/252/220	开关
100	30	20m	30m	TO-251/252/220/262/263	开关
100	40	14m	17m	TO-251/252/220/SOP-8	开关
100	57	14m	18m	TO-220/262/263	开关
100	60	10m	15m	TO-251/252/220/262/263	开关
100	80	7.2m	8m	TO-251/252/220/262/263	开关
100	180	3.3m	4m	TO-220/262/263	开关
100	420	1m	1.6m	SOT-227B	开关

  MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

  MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。

  今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为--，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。