MOSFET在概念上属于“绝缘闸极场效晶体管，而IGFET的闸极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅闸极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。

  MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅做为氧化层之用。今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为--。

  功率MOSFET的源极及漏极可以互换，因此应用灵活性较大。另外，功率MOSFET的栅极G不能开路，否则会出现不正常的工作状态，功率MOSFET都是增强型的，即它在VGS=0时没有漏极电流。在VGS=0、一定的VDS下，其饱和漏电流VDSS=1～4μA。如果功率MOSFET的输出漏极电流不够，可以将两个同型号的功率MOS-FET并联起来，无需均流电阻，但双极型晶体管则要加均流电阻。由于功率MOSFET是电压控制型的，一般用TTL电平就能控制，使控制电路不必考虑驱动电流的大小，其电路要比电流控制型简单得多。