海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！ 

海飞乐技术N沟道60V MOSFET场效应管现货选型

Voltage (V)	Current (A)	Rdson (Ohm)		Package	用途
		TYP	MAX

60	0.3	1000m	1800m	SOT-23	小电流开关用
60	3	78m	100m	SOT-23L/89	开关
60	6	35m	45m	SOT-23	小电流开关用
60	8	56m	80m	TO-251/252	开关
60	9	11m	14m	SOP-8	开关
60	12	50m	85m	TO-252	开关
60	16	10m	15m	SOP-8	开关
60	20	3.5m	5m	SOP-8	开关
60	20	27m	35m	SOP-8双	开关
60	20	27m	35m	TO-252/SOP-8/SOT-89	开关
60	20	23m	30m	TO-251	开关
60	50	13.5m	18m	SOP-8双	开关
60	50	13.5m	18m	TO-252/251/220/SOP-8	开关
60	50	11.5m	15m	QFN	开关
60	60	9.5m	12m	TO-251/252/220/QFN	开关
60	80	7m	8.5m	TO-252/251/SOP-8/TO-220	开关
55	110	6.5m	8.5m	TO-252/251/TO-220	开关
60	150	3.4m	4.5m	TO-220/262/263	开关
60	250	1.9m	3.0m	TO-220	开关

  MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

MOS管工作原理
MOS管的导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。