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海飞乐技术N沟道40V MOSFET场效应管选型
发布时间:2019-10-24 15:35:36  点击:0
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作!

海飞乐技术N沟道40V MOSFET场效应管现货选型
Voltage (V) Current (A) Rdson (Ohm) Package 用途
TYP MAX
40 4 55m 70m SOT-23-6L(双) 开关
40 5 50m 65m SOT-23 开关
40 20 20m 35m TO-251/252 开关
40 20 20m 35m SOP-8(双) 开关
40 40 10m 18m TO-252 开关
40 60 7.5m 13m TO-251/252 开关
40 80 5m 6m TO-252/220 开关
40 170 2.8m 3.5m TO-220/QFN 开关
40 250 2.1m 2.7m TO-220/263 开关
40 290 1.6m 2.3m TO-220/263/247 开关
40 400 1.4m 1.65m TO-247 开关

  MOSFET的原意是:MOS(metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。


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