海飞乐技术200V100AMOS管现货替换IXTN110N20L2。
海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037 吴海丽,期待与您的合作!
MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
200V100AMOS现货IXTN110N20L2技术参数产品种类: MOSFET
RoHS: 符合
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 /箱体: SOT-227-4
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 500 nC
工作温度范围: - 55℃~150℃
Pd-功率耗散: 735 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 12.22 mm
长度: 38.23 mm
宽度: 25.42 mm
正向跨导 - 最小值: 55s
下降时间: 135 ns
上升时间: 100 ns
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 30 g
MOS管的性能参数有哪些?
优质的MOS管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管的质量上下,能够看它能接受的--电流值。影响MOS管质量上下的参数十分多,像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数,所以在MOS管外表普通只标注了产品的型号,我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。 还要阐明的是,温度也是MOS管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的进步,MOS管需求接受的电流也随着加强,提供近百A的电流已经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的平安,高质量主板也开始为MOS管加装散热片了。