海飞乐技术SOT-227封装200V/100A MOS管现货替换IXFN100N20。
现货无货期!!
IXFN100N20技术参数
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装/箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度范围: - 55℃~150 ℃
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
宽度: 25.42 mm
下降时间: 30 ns
上升时间: 80 ns
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 30 g
MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。