海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

区分肖特基二极管与快恢复二极管
结构原理不同，肖特基二极管是贵重金属和n型半导体结合成，快恢复二极管是普通pn结加了个薄基区。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

肖特基二极管反向击穿电压大多不高于60V，最高仅约100V，限制其使用，快恢复二极管反向峰值可以到几百到几千伏，因此像在开关电源变压器次级用100V以上的高频整流二极管等只有使用快速恢复（UFRD）。4、肖特基正向导通压降仅0.4V左，快回复二级馆0.6伏， 总的来说，由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

MUR1220CT特性：
国际标准封装
平面钝化芯片
恢复时间短
开关损耗低
软恢复特性

快恢复二极管MUR1220CT技术参数
RoHS：ROHS 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件
说明：DIODE ULT FAST 200V 12A TO220F
标准包装：30
类别：分立式导体产品
家庭：单二极管/整流器
二极管类型：标准
电压-DC 反向 (Vr)（最大值）：200V
电流-平均整流 (Io)：12A
安装类型：通孔，径向
封装/外壳：TO-220F

影响二极管高温铜迁移产生因素分析
温度 　　
铜产生铜原子并产生迁移温度大约是从350°开始，温度越高铜原子运动越活跃，迁移速率越快，受温度影响很大，该快恢复二极管晶圆实际焊接温度370°，存在铜原子迁移条件。焊接温度是很重要影响因素生产时一定注意温度的控制。
引线焊接材质 　　
二极管晶圆焊接使用的引线是铜材质，铜材质相对铝材质导热性能好、电阻率低、热膨胀系数小、熔点高。但是使用铜材质引线就避免不了铜原子产生及迁移。
硅晶圆表面保护阻隔层覆盖不到位 　　
二极管晶圆表面未形成有效的保护阻隔层，设计应保证晶圆表面特别是边缘位置必须有效覆盖防止出现晶圆边缘位置因为封沟设计、或是制造过程出现问题导致硅晶圆实际没有有效的覆盖，为铜原子迁移与硅发生反应提供充足条件。