海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。
这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源，对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。

MURF1020CT特性：
国际标准封装
平面钝化芯片
恢复时间短
开关损耗低
软恢复特性

快恢复二极管MURF1020CT技术参数
RoHS：ROHS 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件
说明：DIODE ULT FAST 200V 10A TO220F
标准包装：30
类别：分立式导体产品
家庭：单二极管/整流器
二极管类型：标准
电压-DC 反向 (Vr)（最大值）：200V
电流-平均整流 (Io)：10A
安装类型：通孔，径向
封装/外壳：TO-220F

经过将大量过程失效及全检失效二极管分析，确定全检制品也有存在晶元有裂纹异常。最终确定二极管失效是厂家生产过程晶元与杜美丝焊接工序存在问题，引脚(铜质)上的铜在370度的焊接温度下(在代工厂压接过程中)，铜原子迁移到晶圆表面，并生成硅化铜，从而导致器件漏电流增大。导致失效的原因是“铜迁移”，由于产生铜迁移导致晶元与杜美丝结合力大幅度下降，生产过程出现晶元受外在机械应力产生裂纹，后在制造使用过程再次自插剪脚受力导致裂纹程度加重，在整机通电后因器件电性能衰降反向耐压不足导致二极管击穿失效，强电直接引入弱电导致模块与其他器件过电击穿失效炸裂。针对二极管铜迁移采取对晶圆表面增加延长覆盖面积至45μm及引线镀镍有效解决铜原子迁移与硅发生还原反应，解决二极管高温铜迁移失效不良。

工作过程
系统初始在上电瞬间自举电容两端电压为零，如果IPM需要正常启动工作，驱动电路VCC就需要正常供电，初始化时没有电压，在IPM工作前，需要对自举电容进行充电，通过控制驱动信号足够脉冲数量，精确控制IGBT开通，将电容两端电压抬升至目标电压，具体工作过程为：在上电瞬间需要对自举电容进行充电，下桥臂的IGBT开通将对应相输出电压拉低到地，电源通过自举电阻、自举二极管对电容进行充电。
当上桥IGBT开通时，输出电压再次升至母线电压水平。电容两端电压因不能突变，两端电压仍保持在供电电压水平，同时给IGBT驱动提供电压。自举二极管反向截止，将弱电电源部分与母线电压有效隔离，避免强电导入弱电击穿电路器件，以上是单个循环，后续周而复始进行。