海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

在电子电路中，二极管是最为常用的基础元器件之一，它跟开关器件形影相随，不可或缺。在多数情况下，电子电路中的二极管用于开关器件，具有举足轻重的作用。随着电子电路技术快速发展，高频器件如IGBT、MOSFET等器件在高频电路的使用，虽然改善那些对开关功率要求高的功率电路性能，但是需要开关速度更快的二极管与开关器件反并联来提供续流通道，很显然普通二极管的是满足不了实际应用要求的。

影响二极管高温铜迁移产生因素分析
温度 　　
铜产生铜原子并产生迁移温度大约是从350°开始，温度越高铜原子运动越活跃，迁移速率越快，受温度影响很大，该快恢复二极管晶圆实际焊接温度370°，存在铜原子迁移条件。焊接温度是很重要影响因素生产时一定注意温度的控制。
引线焊接材质 　　
二极管晶圆焊接使用的引线是铜材质，铜材质相对铝材质导热性能好、电阻率低、热膨胀系数小、熔点高。但是使用铜材质引线就避免不了铜原子产生及迁移。
硅晶圆表面保护阻隔层覆盖不到位 　　
二极管晶圆表面未形成有效的保护阻隔层，设计应保证晶圆表面特别是边缘位置必须有效覆盖防止出现晶圆边缘位置因为封沟设计、或是制造过程出现问题导致硅晶圆实际没有有效的覆盖，为铜原子迁移与硅发生反应提供充足条件。 快恢复二极管RHRP30120技术参数
RoHS：ROHS无铅/符合规范要求
封装：管件
说明：DIODE ULT FAST 1200V 30A TO220
标准包装：30
类别：分立式导体产品
家庭：单二极管/整流器
二极管类型：标准
电压-DC反向 (Vr)（最大值）：1200V
电流-平均整流 (Io)：30A
安装类型：通孔，径向
封装/外壳：TO-220

二极管工作过程
系统初始在上电瞬间自举电容两端电压为零，如果IPM需要正常启动工作，驱动电路VCC就需要正常供电，初始化时没有电压，在IPM工作前，需要对自举电容进行充电，通过控制驱动信号足够脉冲数量，精确控制IGBT开通，将电容两端电压抬升至目标电压，具体工作过程为：在上电瞬间需要对自举电容进行充电，下桥臂的IGBT开通将对应相输出电压拉低到地，电源通过自举电阻、自举二极管对电容进行充电。
当上桥IGBT开通时，输出电压再次升至母线电压水平。电容两端电压因不能突变，两端电压仍保持在供电电压水平，同时给IGBT驱动提供电压。自举二极管反向截止，将弱电电源部分与母线电压有效隔离，避免强电导入弱电击穿电路器件，以上是单个循环，后续周而复始进行。

二极管反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。