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MOSFET模块IXFN100N20现货
发布时间:2019-06-11 18:23:27  点击:0
  IXFN100N20IXFN100N20
  海飞乐技术MOS模块现货替换IXFN100N20
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作!

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
 
  功率MOSFET的开关性能优良,主要用作功率开关及各种驱动器。近年来,它的性能不断提高,应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中,在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。

IXFN100N20应用
•DC-DC转换器
•开关模式和谐振模式电源
直流斩波器
•脉冲发生器

IXFN100N20优势
•易于安装
•节省空间
•高功率密度

全新现货MOSFET模块IXFN100N20技术参数资料
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合 
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装/箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200V
Id-连续漏极电流: 100A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度范围: - 55℃~ 150℃ 
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 9.6 mm 
长度: 38.23 mm 
宽度: 25.42 mm 
下降时间: 30 ns 
上升时间: 80 ns 
工厂包装数量: 10 
典型关闭延迟时间: 75 ns 
典型接通延迟时间: 30 ns 
单位重量: 30 g
 
IXFN100N20的重要参数:
在MOS管选择方面,系统要求相关的几个重要参数是:
1.负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力;
2.输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制;
3.开关频率FS.。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率;
4.MOSFET最大允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。

IXFN100N20检测方法
1.准备工作
测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。
2.判定电极
将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。
3.检查放大能力(跨导)
将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。


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