为了研制具有高耐压、大电流、低损耗、快开通、快恢复、软恢复、软恢复的单一PV 结型器件，首先要满足高反向耐压(VRRP)。为此必须选用高电阻率的N型晶面的硅单晶材料。由于氧化硅中的施主行为，在高温处理过程中会引起材料电阻率的起伏，而中子幅照区熔单晶具有含氧量低、电阻率高，均匀性和重复性良好、缺陷密度低等优点。所以采用这种材料制备的大功率容量器件，击穿电压可得到高精度的控制，有较好的浪涌电压和浪涌电流的承受能力。
 
工作过程
系统初始在上电瞬间自举电容两端电压为零，如果IPM需要正常启动工作，驱动电路VCC就需要正常供电，初始化时没有电压，在IPM工作前，需要对自举电容进行充电，通过控制驱动信号足够脉冲数量，精确控制IGBT开通，将电容两端电压抬升至目标电压，具体工作过程为：在上电瞬间需要对自举电容进行充电，下桥臂的IGBT开通将对应相输出电压拉低到地，电源通过自举电阻、自举二极管对电容进行充电。
当上桥IGBT开通时，输出电压再次升至母线电压水平。电容两端电压因不能突变，两端电压仍保持在供电电压水平，同时给IGBT驱动提供电压。自举二极管反向截止，将弱电电源部分与母线电压有效隔离，避免强电导入弱电击穿电路器件，以上是单个循环，后续周而复始进行。

大卫DWM90X2-06NP快恢复二极管模块封装结构尺寸
 通过局域钯(Pd)寿命控制技术在pn结附近引入深能级复合中心形成受主补偿层，以降低反向恢复pn结峰值电场，轻离子辐照产生的缺陷中心对Pd具有吸杂作用，选取合适的扩散温度，Pd将在缺陷中心处形成深能级受主中心。随着空间电荷区扩展并穿通附加p型层，这些受主中心起到部分补偿漂移经过空间电荷区空穴的作用，从而减弱动态电场的影响。图4a图为中子辐照寿命控制与Pd局域寿命控制引入受主补偿层的二极管反向恢复波形。由图可知，相比于只采用曾通中子辐照寿命控制技术而言，增加Pd局域寿命控制形成受主补偿层后，反向恢复动态雪崩产生电流明显降低，通过在阳极附近(15-30µm)引入p+埋层以调制pn结电场分布，降低pn结电场峰值的结构，称为电场调制(FM)二极管。随后又提出了经过改进的p+埋层结构，在工艺上更容易实现且表现出比FM结构更好的动态特性。图4b示出仿真得到的p+p-n-n+结构在不同时刻(t1~t7)的电场分布、右上角小图为其结构示意图。阳极侧电场调制结构结合阴极侧结构改进来形成复合型结构，将会对改善二极管动态雪崩抗性起到更好效果。