海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。

  大卫DAC2F100N6S超快速软恢复二极管模块, 峰值反向重复电压 600V, 3引脚 5DM-1封装, 最高工作温度 +150 °C。

超快速软恢复二极管模块DAC2F100N6S技术参数



  器件内部电场强度并不高。对比此时电压波形，可看到电压从0到0.4ns内，是一直上升的，0.4ns时，FRD阴极电压升至181V，此时耗尽区还是在不断展宽的，且并没有达到器件的静态击穿电压。0.5ns时，电压升至321V，刚好超过了器件的静态击穿电压，此时，PN结拐角处，已经出现电场较强的现象。然而，电压仍继续上升直至0.62ns时升至500V，然后，电压便开始跌落。0.6ns时，器件在整个PN结处及耗尽区内的场强都较强。

影响二极管高温铜迁移产生因素分析
温度 　　
铜产生铜原子并产生迁移温度大约是从350°开始，温度越高铜原子运动越活跃，迁移速率越快，受温度影响很大，该快恢复二极管晶圆实际焊接温度370°，存在铜原子迁移条件。焊接温度是很重要影响因素生产时一定注意温度的控制。
引线焊接材质 　　
二极管晶圆焊接使用的引线是铜材质，铜材质相对铝材质导热性能好、电阻率低、热膨胀系数小、熔点高。但是使用铜材质引线就避免不了铜原子产生及迁移。
硅晶圆表面保护阻隔层覆盖不到位 　　
二极管晶圆表面未形成有效的保护阻隔层，设计应保证晶圆表面特别是边缘位置必须有效覆盖防止出现晶圆边缘位置因为封沟设计、或是制造过程出现问题导致硅晶圆实际没有有效的覆盖，为铜原子迁移与硅发生反应提供充足条件。