海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

在过去的10年中，电源拓扑结构发生了根本变化。现在各种电源供应，使重型和笨重的50 / 60赫兹电源变压器不再必要。这些变压器代表了传统电源的体积和重量的主要部分.。
今天，他们已与更小和更轻的变压器更换，其核心材料包括烧结铁氧体代替硅钢片可操作起来到250kHz。对于相同的额定功率，高频操作大大降低了变压器的重量和体积。这种发展已经被新的显著影响，快速开关功率晶体管，如MOSFET或IGBT，在高阻断电压工作（VCES > 600 V）。

快恢复二极管DAC2F100N4S的特点
快恢复时间
大电流能力
高抗浪涌电流能力
低正向压降
低反向漏电流

快恢复二极管DAC2F100N4S的应用
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，FRED作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频高效开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。这些高效、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。 快恢复二极管所采取的技术方案，各家大同小异，概括起来有以下3个基本点。
(1)外形与IGBT和功率MOSFET等现代电压控制型器件的外形相匹配，均为方片，终端采用场板或场限环结构。
(2)内部结构普遍采用单层外延或双层外延(双基区)结构。采用扩散型结构的也有，如IXYS的SONIC二极管，其最大特点是采用了电子辐照+ He++离子辐照的少子寿命控制技术，并将He++离子辐照的峰值区放在了P型扩散层中。
(3)少子寿命控制普遍采用铂扩散+电子辐照技术，也有采用铂扩散+He++离子辐照或电子辐照+He++离子辐照技术。