海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

  快恢复二极管以它显著的优越性，广泛由于脉宽调制器、交流电机变频调速器、开关电源、不间断电源、DC-DC变换器、高频加热装置中，作高频、高压、大功率、大电流整流、续流及保护用，型号的选取要根据具体的应用场合而定，同时还要根据二极管发热量的大小选取适当的散热器进行散热，一般情况还应加装绝缘垫片绝缘，以确保设备和人员的安全。


快恢复二极管VDS在缓冲电容CS充电是导通，充电电流全部流过快恢复二极管，因此快恢复二极管的额定电流应大于负载电流IL；VDS在缓冲电容CS放电时截止，其承受的方向电压就是RS上的电压，约为2US，因此其额定电压不应低于2US。由于流过VDS的平均电流很小，因此二极管只加上小散热即可。由于功率晶体管的开关频率高，如果VDS用普通二极管代替，则会因其不能快速开通而使功率晶体管VT承受过电压损坏，又会因其不能快速关断而使VDS过热损坏。

FRD的少子寿命控制技术
对于数日一定的载流子，其寿命越低，消失越快，在FRD中表现为反向恢复时间越短。因此，提高恢复速度最直接有效的方法便是尽量设法减小基区内的少子寿命。方法便是引入深能级复合中心，例如金属、杂质或缺陷都可以产生深能级复合中心，扩金、扩铂、射线辐照、急冷急热都可以使步子寿命下降。世寿命控制时，同样会带束正向电阻变大及漏电流变大等负面影响。不同的寿命控制方法引起的通态电阻、漏电流的变化差异很大。因此，并不是随便地引入缺陷或杂质就可以用来作寿命控制，而是需要很多研究和实践总结、日前通用的寿命控制技术有扩金、扩铂、电子或氯离子辆照等。