海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。而且由MOS管构成的CMOS传感器为相机提供了越来越高的画质，成就了更多的“摄影家”。

功率MOSFET的结构和工作原理
功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。

APT8014JLL产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感 

APT8014JLL产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。

由于MOSFET在关断状态的漏电流限制，因而不可能再降低30%的电源电压。CMOS晶体管可以被开启或关断的程度，取决于电子热能分布的物理限制特性——在室温下每10倍电流变化受限于60mV。这种效应被称为Boltzmann Tyranny。
由于Dennard微缩在2003年左右结束，其后每一代新工艺中的功率密度不再保持趋近于恒定，而是必须透过减慢或限制CPU频率增加，从而克服功率密度增加的挑战。
使用多个平行处理核心，就能提高运算性能。由于摩尔定律仍持续进展，而且使CMOS技术能够在每代工艺提高约2倍的晶体管密度，从而降低了每一世代中的每个晶体管成本。这是摩尔定律的基本前提。

高可靠性是基本半导体1200V碳化硅MOSFET的另一大特点。其中MOSFET栅氧沟道电子迁移率14cm/Vs，击穿场强接近8.8MV/cm，在TDDB测试中，根据门极偏压30-36V数据推算栅极电压20V应用条件下栅氧寿命在200年以上。Tj=150℃条件下，Vth>2V，可降低器件在使用中受干扰因素影响出现误开通的风险，提升系统可靠性。

根据知名研究机构Yole预测，到2023年，包括碳化硅MOSFET在内的碳化硅器件市场将超过15亿美元，2017年到2023年的复合年增长率将达到31%。目前碳化硅MOSFET应用已经在全球多个行业落地开花。Tesla电驱控制器搭载了碳化硅 MOSFET，欧洲的350kW超级充电站也采用了碳化硅功率器件。目前中国市场对碳化硅器件的需求绝大部分依赖进口，国产化率不足 1%，国产替代的潜力巨大。