海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

目前为止，SiC MOSFET需要比Si IGBT或Si MOSFET更高的闸极驱动电压，而且经常面临极为接近零伏特的低闸极-源极临界值电压裕度。此微小的裕度使得闸极电压振铃尖峰处于高dv/dt旋转率，成为系统设计人员关注的问题。新型沟槽技术实现了标准化闸极驱动方案，使+15V的Si IGBT足以导通，而4V基准临界值电压可在电流关断时提供稳固的讯噪比。
 
APT12080JVFR产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感 

APT12080JVFR产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。

然而，以SiC MOSFET进行设计也存在着挑战。设计人员必须考量SiC MOSFET的切换瞬变。相较于经常可在1200V Si IGBT中见到的5~20V/ns，50V/ns或更高的dv/dt并不罕见。因此，电路板层级上的寄生耦合电容将导致过多的能源损耗。对于以更简单的2-Level解决方案取代3-Level Si IGBT解决方案的情况而言，如果切换电压与频率皆加倍，则寄生耦合电容将产生高出八倍的能源损耗。图3显示当SiC MOSFET在标准IGBT 2-Level解决方案中随插即用时的原始效率线，而下一个效率线则显示有关汲极-源极寄生电路板电容的PCB谨慎设计能如何减少损耗。当切换频率增加时，应考量的第二个主题涉及电感器的磁芯损耗。

由于涟波电流及其相应的损耗在整个负载范围内维持恒定，藉由改变芯材料来改善磁芯损耗主要会影响部分负载效率。相较于3-Level Si IGBT解决方案，这两项改善最终将带来高于98.5%的理想效率线。这显示SiC MOSFET主要并非Si IGBT的随插即用选项，而且需要大量的设计作业才能将效能提升到更高水准。