海飞乐技术MOS模块现货替换APT10050JVFR。

  海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

  在未来，将有越来越多的功率电子应用无法仅倚赖硅(Si)装置满足目标需求。由于硅装置的高动态损耗，因此藉由硅装置提高功率密度、减少电路板空间、降低元件数量及系统成本，同时提高功率转换效能，即成为一个相互矛盾的挑战。为解决此问题，工程师们逐渐开始采用以碳化硅材料为基础的功率半导体来部署解决方案。
 

APT10050JVFR产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感 

APT10050JVFR产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。

进一步提高切换频率会导致硅基解决方案效率与最大输出功率迅速降低，但SiC MOSFET的低切换损耗不会有此问题。透过此范例的证明，工作频率高达72kHz的三倍仍带来比24kHz运作之硅解决方案更高的效率。因此可缩减被动元件实体尺寸、减少冷却作业，并达到更低的系统重量与成本。

另一个三相电力转换范例是电动车的充电基础设施。1200V SiC MOSFET可为DC-DC转换级建构一个LLC全桥级，其中典型的硅解决方案倚赖650V Si超接面MOSFET，需要两个串联的LLC全桥来支援800V的DC链路。而四组SiC MOSFET加上驱动器IC即可取代八组Si超接面MOSFET加上驱动器IC，如图2所示。除了零件数量减少及电路板空间缩减之外，还可以使效率达到最佳化。在每个导通状态下，相较于Si解决方案中的四个切换位置，SiC MOSFET解决方案仅打开两个切换位置。在快速电池充电中使用SiC MOSFET，可实现高效率的充电周期。

由于动态损耗比1200V Si级低一个量级，因此SiC MOSFET亦可藉由提高效能，为传统的简单拓扑提供重新使用的机会。在图3中，将使用1200V SiC MOSFET的传统2-Level解决方案与先前提及的先进3-Level硅解决方案进行比较。2-Level拓扑结构的优点是控制方案非常简单，且减少50%的零件数量。此种解决方案可用于光电与UPS变频器，以及驱动系统、电池充电及能源储存解决方案中具有双向性的主动式前端。如图3所示，尽管切换频率从24kHz提高至48kHz，但在2-Level SiC MOSFET解决方案的高负载条件下，效率提高了0.3~0.4%，这的确令人惊奇，因为其切换电压较3 -Level运作高出两倍(800V比400V)。