海飞乐技术MOS模块现货替换APT10025JVR。

  海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

SiC MOSFET的优异技术功能必须搭配适合的成本定位、系统相容性功能、近似于硅的FIT率以及量产能力，才足以成为主流产品。电力系统制造商需在实际商业条件下符合所有上述多项要素，以开创功率转换的新局面，尤其是以能源效率以及「以更少投入获得更多产出」为目标的案例。

在未来，将有越来越多的功率电子应用无法仅倚赖硅(Si)装置满足目标需求。由于硅装置的高动态损耗，因此藉由硅装置提高功率密度、减少电路板空间、降低元件数量及系统成本，同时提高功率转换效能，即成为一个相互矛盾的挑战。为解决此问题，工程师们逐渐开始采用以碳化硅材料为基础的功率半导体来部署解决方案。
 

APT10025JVR产品特点：
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感 

APT10025JVR产品主要应用：电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。

SiC MOSFET/Si IGBT效能大有优势

SiC半导体材料中的晶体管功能，为整体电力供应链(从能源产生、传输及分配给消费者)的能源效率(以较少能源获得更多能源)提供了更大的潜力。

让我们仔细研究一下SiC MOSFET与Si IGBT的效能优势。图1显示了先进的硅解决方案范例：如果目标为高效率与高功率密度，具有650V与1200V Si IGBT的3-Level T类拓扑的一个相位脚通常会用于三相系统，例如光电变频器与UPS。采用此种解决方案，效率最高可达到20~25kHz的切换频率。由于装置电容较低、部分负载导通损耗较低，以及没有关断尾电流，因此1200V SiC MOSFET的电流损耗比1200V Si IGBT低约80%。在外部切换位置使用1200V SiC MOSFET可大幅提升效率，并在指定的框架尺寸中达到更高的输出功率。