功率MOSFET的开关性能优良，主要用作功率开关及各种驱动器。近年来，它的性能不断提高，应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中，在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。

  NMOS管
  使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压固定值6V即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。
 

IXFN38N100Q2特性：
•双金属工艺，低栅电阻
•微型，带氮化铝隔离
•无阻尼感应开关（UIS）额定值
•低封装电感
•快速本征整流器

IXFN38N100Q2应用
•DC-DC转换器
•开关模式和谐振模式电源
直流斩波器
•脉冲发生器

IXFN38N100Q2优势
•易于安装
•节省空间
•高功率密度

全新现货MOSFET模块IXFN38N100Q2技术参数资料
制造商: IXYS 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 详细信息 
技术: Si 
安装风格: Chassis Mount 
封装 / 箱体: SOT-227-4 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV 
Id-连续漏极电流: 38 A 
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 890 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: HyperFET 
封装: Tube 
高度: 9.6 mm 
长度: 38.23 mm 
系列: IXFN38N100 
晶体管类型: 1 N-Channel 
宽度: 25.42 mm 
商标: IXYS 
下降时间: 15 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 28 ns 
工厂包装数量: 10 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 57 ns 
典型接通延迟时间: 25 ns 
单位重量: 30 g