我国一般快恢复二极管的水平与国际先进水平相差无几。国产器件不但在国内市场占有80%以上的份额，而且还有越来越多的出口。为区别于一般快恢复二极管，人们常将与IGBT、功率M0SFET等器件相匹配的FRD称之为超快恢复二极管，由于IGBT、功率MOSFET器件的开关速度很快，因此要求FRD不仅反向恢复要很快，而且要求“软”特性，以避免产生高的电压尖峰，避免产生射频干扰(RFI)和电磁干扰(EMI)。

目前，国内快恢复二极管的最好参数为：正向平均电流3000A，反向恢复峰值电压4500V，反向恢复时间5ns。现在这些二极管一般采用电子辐照控制少子寿命，其软度因子在0.35左右，特性很硬。国际上快速二极管的最好参数为：正向平均电流2500A，反向重复峰值电压3000V，反向恢复时间300ns，软度因子较小。

快恢复二极管APT2X100D20J规格参数
制造商: Microchip 
产品种类: 整流器 
RoHS: 详细信息 
安装风格: Screw Mount 
封装 / 箱体: SOT-227-4 
Vr - 反向电压 : 200 V 
If - 正向电流: 100 A 
类型: Fast Recovery Rectifiers 
配置: Dual Parallel 
Vf - 正向电压: 1.1 V 
最大浪涌电流: 1 kA 
Ir - 反向电流 : 500 uA 
恢复时间: 60 ns 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
高度: 9.6 mm 
长度: 38.2 mm 
产品: Rectifiers 
宽度: 25.4 mm 
商标: Microchip / Microsemi 
产品类型: Rectifiers 
工厂包装数量: 1 
子类别: Diodes & Rectifiers 
商标名: ISOTOP 
单位重量: 30 g

快恢复二极管所采取的技术方案，各家大同小异，概括起来有以下3个基本点。
(1)外形与IGBT和功率MOSFET等现代电压控制型器件的外形相匹配，均为方片，终端采用场板或场限环结构。
(2)内部结构普遍采用单层外延或双层外延(双基区)结构。采用扩散型结构的也有，如IXYS的SONIC二极管，其最大特点是采用了电子辐照+ He++离子辐照的少子寿命控制技术，并将He++离子辐照的峰值区放在了P型扩散层中。
(3)少子寿命控制普遍采用铂扩散+电子辐照技术，也有采用铂扩散+He++离子辐照或电子辐照+He++离子辐照技术。

分类
采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。