快恢复二极管作用一般地说用于较高频率的整流和续流。至于电源模块的输入部份，好像频率不高，不必用快恢复二极管，用普通二极管即可。 对于二极管来说，加在其两端的电压由正向变到反向时，响应时间一般很短，而相反的由反向变正向时其时间相对较长，此即为反向恢复时间，当二极管用做高频整流等时，要求反向恢复时间很短，此时就需要快恢复二极管（FRD），更高的超快恢复二极管（SRD），开关二极管，最快的是肖特基管（其原理不同于以上几个二极管）。
快恢复二极管DPG10P400PJ技术参数制造商: IXYS
产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关
产品: Switching Diodes
安装风格: Through Hole
封装/箱体: ISOPLUS220-3
峰值反向电压: 400 V
最大浪涌电流: 130 A
If - 正向电流: 10 A
恢复时间: 45 ns
Vf - 正向电压: 1.02 V
Ir - 反向电流 : 0.18 mA
工作温度范围: - 55℃~+ 150℃
系列: DPG10P400
封装: Tube
高度: 16 mm
长度: 11 mm
类型: Fast Recovery Diode
宽度: 5 mm
商标: IXYS
Pd-功率耗散: 60 W
工厂包装数量: 50
商标名: HiPerFRED
Vr - 反向电压 : 400 V
快恢复二极管使用注意事项
1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。
2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。
3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。
快恢复二极管所采取的技术方案，各家大同小异，概括起来有以下3个基本点。
(1)外形与IGBT和功率MOSFET等现代电压控制型器件的外形相匹配，均为方片，终端采用场板或场限环结构。
(2)内部结构普遍采用单层外延或双层外延(双基区)结构。采用扩散型结构的也有，如IXYS的SONIC二极管，其最大特点是采用了电子辐照+ He++离子辐照的少子寿命控制技术，并将He++离子辐照的峰值区放在了P型扩散层中。
(3)少子寿命控制普遍采用铂扩散+电子辐照技术，也有采用铂扩散+He++离子辐照或电子辐照+He++离子辐照技术。