功率MOSFET的开关性能优良,主要用作功率开关及各种驱动器。近年来,它的性能不断提高,应用范围越来越广。计算机及电视机中的开关电源中的“开关”就是由功率MOSFET担任的。功率MOSFET除了应用在开关电源中,在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。
特点:
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
主要应用:电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS模块IXFN60N80P技术参数资料
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 53 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN60N80
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 30 g
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
主要应用:电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
MOS模块IXFN60N80P技术参数资料
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 53 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN60N80
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 30 g
功率MOSFET的源极及漏极可以互换,因此应用灵活性较大。另外,功率MOSFET的栅极G不能开路,否则会出现不正常的工作状态,功率MOSFET都是增强型的,即它在VGS=0时没有漏极电流。在VGS=0、一定的VDS下,其饱和漏电流VDSS=1~4μA。如果功率MOSFET的输出漏极电流不够,可以将两个同型号的功率MOS-FET并联起来,无需均流电阻,但双极型晶体管则要加均流电阻。由于功率MOSFET是电压控制型的,一般用TTL电平就能控制,使控制电路不必考虑驱动电流的大小,其电路要比电流控制型简单得多。
MOSFET在电子电路上应用的优势
MOSFET在1960年由贝尔实验室(Bell Lab.)的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功,这种元件的操作原理和1947年萧克莱(William Shockley)等人发明的双载子晶体管(BJT)截然不同,且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势,在大型积体电路(LSI)或是超大型积体电路(VLSI)的领域里,重要性远超过BJT。
近年来由于MOSFET元件的性能逐渐提升,除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上,也有越来越多类比讯号处理的积体电路可以用MOSFET来实现。