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替换快恢复二极管APT2x101DQ100J技术参数
发布时间:2019-05-09 14:42:36  点击:0
海飞乐技术快恢复二极管现货替换APT2x101DQ100J
 APT2x101DQ100J
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一般快恢复二极管主要指与快速晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大,电压高,反向恢复时间一般在Iµs以上,大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺,电流从几十安培至几千安培,电压几百至3000V以下,反向恢复特性通常比较??。结构上主要有园饼结构和方片结构,其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。

快恢复二极管的性能特点:
(1)反向恢复时间trr要短,以加快器件的开关速度,降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率;
(2)反向恢复峰值电流IRM要小,防止开关器件因通过大电流而烧毁;
(3)反向恢复软度因子S要大,以减小器件反向恢复过程中的电压过冲和电压振荡,提高器件工作的稳定性和可靠性;
(4)反向漏电流IR要小,以减小器件在关断状态下的功率损耗;
(5)正向通态压降VF要小,以减小器件在导通状态下的功率损耗。以达到这些要求为基本目标。

快恢复二极管模块APT2x101DQ100J技术参数
制造商: Microsemi 
产品种类: 整流器 
RoHS: 详细信息 
安装风格: Screw Mount 
封装 / 箱体: SOT-227-4 
Vr - 反向电压 : 1000 V 
If - 正向电流: 100 A 
类型: Fast Recovery Rectifiers 
配置: Dual Parallel 
Vf - 正向电压: 2.7 V 
最大浪涌电流: 1 kA 
Ir - 反向电流 : 100 uA 
恢复时间: 290 ns 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
封装: Tube 
高度: 9.6 mm 
长度: 38.2 mm 
产品: Rectifiers 
宽度: 25.4 mm
 
快恢复二极管所采取的技术方案,各家大同小异,概括起来有以下3个基本点。
(1)外形与IGBT和功率MOSFET等现代电压控制型器件的外形相匹配,均为方片,终端采用场板或场限环结构。
(2)内部结构普遍采用单层外延或双层外延(双基区)结构。采用扩散型结构的也有,如IXYS的SONIC二极管,其最大特点是采用了电子辐照+ He++离子辐照的少子寿命控制技术,并将He++离子辐照的峰值区放在了P型扩散层中。
(3)少子寿命控制普遍采用铂扩散+电子辐照技术,也有采用铂扩散+He++离子辐照或电子辐照+He++离子辐照技术。

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