经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压 VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的 基区厚度 dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺 杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。1995 年，西门子率先不用外延工艺，采用区熔单晶硅 批量生产 NPT－IGBT 产品。西门子的 NPT-IGBT 在全电流工作区范围内具有饱和压降正温度 系数，具有类 MOSFET 的输出特性。
IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量，其栅电容较小，并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压，在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进，可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性，如降低栅存储时间，降低开关损耗，还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。

产品特点：
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度

IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• 快速续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

IGBT单管IHW40N60R现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25℃的连续集电极电流: 40A
单位重量: 38 g

增加了一个深的、低掺杂的SPT缓冲层，使元件与NPT结构设计相比，总厚度减薄了20%。SPT缓冲层能确保像这样的元件维持软关断的特性。除了这些明显的优点外，还表明SPT技术可以使IGBT和二极管的SOA均有大的增加。HV-IGBT的设计平台利用一个先进的、极为可靠的平面单元设计，防止了闩锁效应，使SOA增加。SPT IGBT的输入电容设计可以提供对开通di/dt很好的控制，di/dt是门极电阻的函数，在门极-发射极端不需要额外的电容。这一点使IGBT的通态电压延迟更短，其开通损耗大大的降低。
采用了软穿通技术，与前代相比大大的减少了整体元件的损耗，使IGBT和二极管达到很好的静态和动态特性。 产品还增加了一个深的、低掺杂的SPT缓冲层，使元件与NPT结构设计相比，总厚度减薄了20%。SPT缓冲层能确保像这样的元件维持软关断的特性。大功率、高电压电路不可避免的有很大的寄生电感，它将在元件关断的时候引起电压尖峰和大的振荡，并诱发电磁干扰(EMI)。