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替换IGBT单管IHW30N160R2现货技术参数
发布时间:2019-05-06 10:52:26  点击:0
  IGBT单管
  海飞乐技术快恢复二极管现货替换IHW30N160R2
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴海丽,期待与您的合作!
 
采用4代沟槽技术带有温度检测的IGBT模块,该产品具有很强的抗短路能力,作为电力电子变换器的核心器件,为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础,其被广泛运用于 AC逆变器驱动器、UPS、电子焊工在FSW可达20千赫。在工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域运用十分广泛。 采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术,因此被称为功率变流产品的“CPU”、“绿色经济之核”。在未来很长一段时间内,为适应全球降低CO2排放的战略需要, 以该款产品为代表的IGBT必将扮演更为重要的角色,是节能技术和低碳经济的重要支点。

产品特点:
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度

IGBT具备以下关键优势:
• 超低损耗,确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• 快速续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

IGBT单管IHW30N160R2现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1600 V
在25℃的连续集电极电流: 30A
单位重量: 38 g

IGBT保护方法,封锁驱动信号
在逆变电源的负载过大或输出短路的情况下,通过逆变桥输入直流母线上的电流传感器进行检测。当检测电流值超过设定的阈值时,保护动作封锁所有桥臂的驱动信号。这种保护方法最直接,但吸收电路和箝位电路必须经特别设计,使其适用于短路情况。这种方法的缺点是会造成IGBT关断时承受应力过大,特别是在关断感性超大电流时,必须注意擎住效应。

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