英飞凌科技股份公司600 V和1200V高速3（第三代）IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。 近年来，各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT，比如开关和通态损耗优化，以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600 V和1200 V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源（SMPS和UPS）等高频应用，帮助最大限度发挥系统的性能。

产品特点：
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度

IGBT具备以下关键优势：
• 超低损耗，确保高效率及开关速度。
• 高耐用性带来了严苛应用环境下的高可靠性。
• 高短路能力降低了保护需求。
• 正温度系数器件可轻松并联以提高电流处理能力。
• 快速续流二极管提供紧凑模块封装形式的一体化解决方案

IGBT单管IGW30N60TP现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25℃的连续集电极电流: 38A
单位重量: 38 g

与高压快速和软恢复SPT二极管一起使用，共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极，与低浓度P型阳极二极管相比， SOA特性更好，更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间，在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度，使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA，通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法，适当的分布了电子-空穴等离子浓度。最终，在大的电流模块中，并联芯片的均流很好，在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。