海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！   采用4代沟槽技术带有温度检测的IGBT模块，该产品具有很强的抗短路能力，作为电力电子变换器的核心器件，为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础，其被广泛运用于 AC逆变器驱动器、 UPS、电子焊工在FSW可达20千赫。

产品特点：
·低功耗和软开关
·高性能和高可靠性的IGBT具有过热保护
·因为大减少零部件的数量在更高的可靠性
·内置的控制电路
·通过直接检测连接处温度保护在IGBT的温度

IGBT单管IGW15N120H3现货技术参数
制造商: Infineon
产品种类: IGBT晶体管
RoHS: 符合
技术: Si
封装/箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极-发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25℃的连续集电极电流: 15A
单位重量: 38 g

IGBT的工作原理
如等效电路图所示给栅极一发射极间加阈值电压u。以上的(正)电压，在栅极电极正下方的P层上形成反型层(沟道)，从而开始从发射极电极F的N一层注人电子。浚电子为PNP晶体管的少数载流子，它从集电极衬底P+层开始流人空穴，进行电导率调制(双极工作)，可以降低集电极一发射极问的饱和电压。在其发射极电极侧形成有NPN寄生晶体管。若NPN寄生晶体管工作，它又变成P+，N一，P一，N+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流，此时通过糯出信号已不能进行控制。一般称这种状态为闭锁状态。

IGBT模块的选择
IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。