海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

  快恢复二极管，在传导正向电流时，都将从阳极和阴极注入大量的载流子，从阳极注入的空穴载流子在基区则以少子的形式储存电荷。少子注入使基区产生电导调制效应，使得正向通态压降VF很低，这是快恢复二极管、也是双极型器件的最大优势。

快恢复二极管模块VS-UFL250CB60现货参数资料
产品：快恢复二极管模块
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS
系列: VS-UFL
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 160
二极管配置 1 对共阴极
二极管类型 标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 600V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 130A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.44V @ 100A
速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr） 104ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 50µA @ 600V
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227

快恢复二极管的少子寿命控制技术：
快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比，因此，提高快恢复速度的最直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命，减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多，金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命，如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等，均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时，压降增加，漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大，不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中最经典的方法是扩金、扩铂。