海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

肖特基二极管模块VS-UFB80FA40现货技术参数
产品种类: 肖特基二极管模块
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227
Vr - 反向电压 : 400 V
If - 正向电流: 40 A
类型: Fast Recovery Rectifiers
Vf - 正向电压: 1.14 V
最大浪涌电流: 270 A
Ir - 反向电流 : 50 uA
恢复时间: 32 ns
系列: VS-UFB
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
产品: Rectifiers
工厂包装数量: 160
单位重量: 30 g

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。