海飞乐技术可封装同规格参数产品，完全替换FA57SA50LC。
海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037 吴海丽，期待与您的合作！
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
威世FA57SA50LC是第三代国际整流器设计与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低电阻和成本效益。采用SOT - 227封装普遍首选的商业工业应用的功耗水平在约500瓦。低的SOT - 227热电阻有助于其在整个行业广泛接受。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
威世FA57SA50LC是第三代国际整流器设计与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低电阻和成本效益。采用SOT - 227封装普遍首选的商业工业应用的功耗水平在约500瓦。低的SOT - 227热电阻有助于其在整个行业广泛接受。
产品特点
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
主要用在电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
FA57SA50LC现货技术参数价格
通道类型 N
最大连续漏极电流 5.7 A
最大漏源电压 500 V
最大漏源电阻值 0.08 Ω
最大栅源电压 ±20 V
封装类型 SOT-227
安装类型 螺丝
引脚数目 4
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 625 W
宽度 25.7mm
典型接通延迟时间 152 ns
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
每片芯片元件数目 1
长度 38.3mm
高度 12.3mm
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 225 nC @ 400 V
典型关断延迟时间 108 ns
典型输入电容值@Vds 10000 pF @ 25 V
在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。
我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。
完全隔离的封装
易于使用和并行
低电阻
额定动dv/dt
完全雪崩额定
简单的驱动要求
低门电荷装置
内部低电感
主要用在电动车充电器、控制器、LED驱动、风扇、镇流器等等。
FA57SA50LC现货技术参数价格
通道类型 N
最大连续漏极电流 5.7 A
最大漏源电压 500 V
最大漏源电阻值 0.08 Ω
最大栅源电压 ±20 V
封装类型 SOT-227
安装类型 螺丝
引脚数目 4
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 625 W
宽度 25.7mm
典型接通延迟时间 152 ns
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm
每片芯片元件数目 1
长度 38.3mm
高度 12.3mm
最低工作温度 -55 °C
典型栅极电荷@Vgs 225 nC @ 400 V
典型关断延迟时间 108 ns
典型输入电容值@Vds 10000 pF @ 25 V
在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。
我们经常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。