海飞乐技术快恢复二极管现货替换DSEC30-06A。

 海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴海丽，期待与您的合作！

   对于这个快恢复二极管DSEC30-06A来说，它的内部所具有的结构跟普通的PN结二极管是有着不同的区别的。这个快恢复二极管是PIN结型的二极管类型，也就是说在P型的硅材料跟N型的硅材料里面，增加了一个基区I，这样就构成了PIN硅片。由于基区是相对比较薄的，所以相应的反向恢复的电荷还是相对较小的。我们从上面的介绍知道，快恢复二极管具有很短的反向恢复时间，它的正向压降还是比较低的，相应的反向击穿电压还是比较高的。

DSEC30-06A特点：
■芯片与底板电气绝缘，2500V交流绝缘
■采用德国产玻璃钝化芯片焊接，优良的温度特性和功率循环能力
■体积小，重量轻
DSEC30-06A典型应用：
■电焊机
■切割机
■电镀电源
■开关电源

DSEC30-06A现货参数资料
产品种类: 快恢复二极管
RoHS: 符合RoHS 
封装：to-247
年份：12+
功率特性： 大功率 关断速度： 高频(快速) 
电压：600V
电流：30A

海飞乐技术现货替换以下型号产品：
FRD：300V-1200V 60A-300A 规格齐全，性能优异，EAS特性更好，恢复时间短韩国大卫快恢复模块：电压：400V系列
DWM2F90N040 DWM2F100N040 DWM2F125N040 DL2F90N4S DL2F100N4S DL2F150N4S DN2F100N4S DN2F135N4S DA/C2F100N4S DAC2F100N4SE  DAC2F150N4S DBC2F150N4S DBC2F200N4S DS1F300N4S DH2F100N4S DH2F150N4S DH2F100N4SE DH2F160N4SE DH2F200N4S 

电压600V 快恢复模块
DWM2F90N060 DWM2F100U060 DN2F100N6S DN2F125N6S DAC2F100N6S DAC2F100P6S DAC2F150N6S DBC2F150N6S DBC2F200N6S DS1F300N6S  DH2F100N6S DH2F150N6S 

电压1200V 快恢复模块
DWM2F60N120 DWM2F60U120 DWM2F75U120 DWM2F100N120 DWM2F100U120 DWM2F125U120 DN2F75N12S DN2F100N12S DN2F125N12S DA2F75N12S  DA2F100N12S DA2F100P12S 

韩国大卫IGBT模块 600V系列：
DM2G50SH6A DM2G75SH6A DM2G100SH6A DM2G50SH6N DM2G75SH6N DM2G100SH6N DM2G150SH6NE DM2G150SH6A DM2G200SH6A DM2G150SH6N DM2G200SH6N  DM2G300SH6NE DM2G300SH6A DM2G400SH6A DM2G300SH6N DM2G400SH6N 

韩国大卫IGBT模块1200V系列
DM2G50SH12A DM2G75SH12A DM2G100SH12AE DM2G100SH12A DM2G150SH12AE DM2G200SH12AE DM2G100SH12AL DM2G150SH12A DM2G200SH12A DM2G300SH12A 

工作原理
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。