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低压大电流MOS模块680A100V技术参数
发布时间:2019-03-26 14:40:55  点击:0
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作!

   海飞乐技术多种封装680A100VMOS模块,低导通阻抗,开关特性好,结构牢固,可靠性高。应用于电动汽车、UPS设备、等离子切割、机器人等领域。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
680A100VMOS模块
 
680A100VMOS模块主要参数
680A100VMOS模块主要参数

680A100VMOS模块封装外形及尺寸
680A100VMOS模块封装外形及尺寸

检测方法
1.准备工作
测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。
2.判定电极
将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。
3.检查放大能力(跨导)
将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。

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