新闻中心
快恢复模块300A400V现货规格参数
发布时间:2019-03-26 14:30:15  点击:0
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作!

   海飞乐技术多种封装300A400V快恢复二极管模块,使用平面钝化芯片、双芯片封装,具有软恢复特性,恢复时间短,开关损耗低等优点。应用于开关电源、电机控制及感应设备中。作为整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
300A400V快恢复二极管模块

 
300A400V快恢复二极管模块主要参数
300A400V快恢复二极管模块主要参数

300A400V快恢复二极管模块封装外形及尺寸
300A400V快恢复二极管模块封装外形及尺寸

一般快恢复二极管主要指与快速晶闸管、高频晶闸管以及GTO、IGCT、lEGT等晶闸管派生器件匹配的FWD器件。这种二极管通常电流大,电压高,反向恢复时间一般在1µs以上,大都采用扩散型穿通型结构和电子辐照工艺,电流从几十安培至几千安培,电压几百至3000V以下,反向恢复特性通常比较??。结构上主要有园饼结构和方片结构,其中以大面积园饼(wafer)结构更具优势。

我国一般快恢复二极管的水平与国际先进水平相差无几。国产器件不但在国内市场占有80%以上的份额,而且还有越来越多的出口。为区别于一般快恢复二极管,人们常将与IGBT、功率M0SFET等器件相匹配的FRD称之为超快恢复二极管,由于IGBT、功率MOSFET器件的开关速度很快,因此要求FRD不仅反向恢复要很快,而且要求“软”特性,以避免产生高的电压尖峰,避免产生射频干扰(RFI)和电磁干扰(EMI)。

首页 | 公司 | 求购 | 供应 | 商城 | 招商 | 展会 | 行情 | 品牌 | 产品

联系我们 | 刷新 | 返回顶部

©2004-2024  贸易商务资源网(ceoie.com)  版权所有