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快恢复模块200A1200V现货技术参数
发布时间:2019-03-26 14:23:58  点击:0
  海飞乐技术目前产品范围包括有:快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员,电话:15712055037  吴小姐,期待与您的合作!

   海飞乐技术多种封装200A1200V快恢复二极管模块,使用平面钝化芯片、双芯片封装,具有软恢复特性,恢复时间短,开关损耗低等优点。应用于高频开关器件、开关电源、电机控制及感应设备中。作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。使整机的机械结构紧凑、简化、体积缩小、重量减轻、节电、节材、可靠性提高。
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200A1200V快恢复二极管模块主要参数①
200A1200V快恢复二极管模块主要参数
200A1200V快恢复二极管模块主要参数
 
200A1200V快恢复二极管模块主要参数②
200A1200V快恢复二极管模块主要参数

200A1200V快恢复二极管模块主要参数③
200A1200V快恢复二极管模块主要参数

200A1200V快恢复二极管模块封装外形及尺寸
200A1200V快恢复二极管模块封装外形及尺寸

200A1200V快恢复二极管模块封装外形及尺寸

快恢复二极管的少子寿命控制技术:
快恢复二极管的反向恢复时间与二极管基区内少数载流子寿命成正比,因此,提高快恢复速度的最直接有效的办法就是尽量设法减小基区的少数载流子寿命,减小少子寿命的方法是往基区引入深能级复合中心。引入复合中心的方法很多,金属、杂质、缺陷的引入都会减小少子寿命,如扩金、扩铂、污染、射线辐照、急冷急热等,均可使少子寿命大幅下降。但少子寿命下降的同时,压降增加,漏电流增加。不同的方法引起的压降和漏电流的变化差异很大,不是随便什么杂质或缺陷都可以引入的。其中最经典的方法是扩金、扩铂。


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