海飞乐技术目前产品范围包括有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）半导体器件，涵盖变频、逆变、新能源汽车、充电桩、高频电焊、特种电源等应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员，电话：15712055037  吴小姐，期待与您的合作！

  海飞乐技术快恢复二极管HU75120H/HFD75120H，TO-247封装(可按需求定制不同封装)，电流75A，电压1200V，采用高温铂扩散工艺，降低开关损耗及IRM值，反向恢复时间短，主要应用于逆变焊机、高频开关器件、变频器、整流器开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）及超声波清洗机和焊机中，作续流二极管、整流二极管及阻尼二极管等。

75A1200V快恢复二极管HU75120H主要参数


75A1200V快恢复二极管HFD75120H主要参数




75A1200V快恢复二极管封装尺寸



IGBT和功率MOS场效应管(P0WER M0SFET)的研制成功，并得到急剧发展和商业化，这不仅对电力电子逆变器向高频化发展提供了坚实的器件基础，同时，为用电设备高频化(20kHz以上)和高频设备固态化，为高效、节电、节材，实现机电体化，小型轻量化和智能化提供了重要的技术基础。与此同时，给IGBT,功率MOSFET等高频逆变装置配套的、且不可缺少的快恢复二极管也得到了很快的发展。快恢复二极管模块现已批量在大功率开关电源、高频逆变电焊机、高频逆变开关型电镀电源、高频快速充电器以及高频调速装置等场合使用，结果非常令人满意。

随着装置工作开关频率的提高，若没有快恢复二极管给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离输出整流器和输入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等开关器件就不能发挥它们的功能和独特作用，这是由于快恢复二极管的关断特性参数(反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr，反向峰值电流IRM)的作用所致，最佳合适参数的快恢复二极管与高频开关器件的协调工作。使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰，高频干扰电压以及EMI降至最底，使开关器件的功能得到充分发挥，快恢复二极管模块现已批量在大功率开关电源、高频逆变电焊机、高频逆变开关型电镀电源、高频快速充电器以及高频调速装置等场合使用，结果非常令人满意。