海飞乐技术有限公司是一家以快速恢复二极管（FRD）、快恢复模块、超结MOSFET等新型功率半导体芯片及器件的设计、生产和销售为主营业务的高科技企业。公司快恢复二极管/模块产品广泛应用于变频空调、液晶电视、通信电源、计算机电源、太阳能电池、逆变电源、逆变焊机、等离子切割机、电磁加热、变频器、不间断电源、汽车电子、电动车控制器、充电器等领域，具有极其广阔的市场应用前景。
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  1. 齐纳二极管
  齐纳二极管在反偏置区具有精确受控制的击穿电压(被称为齐纳电压)和陡峭的击穿特性。尽管名为齐纳二极管，但击穿可能是由碰撞电离或齐纳隧穿效应造成。齐纳击穿由导带和价带之间载流子的量子力学隧穿效应造成。齐纳击穿在有较高掺杂浓度的结中产生，所需的临界电场约为1MV/c。齐纳二极管一般被用来建立固定的参考电压。

  2. 阶跃恢复二极管
  阶跃恢复二极管有时称为快速恢复二极管、急变二极管或快反向二极管。标准p-n结的响应受少数载流子存储的限制，并具有如图1所示的反向恢复。阶跃恢复二极管具有特殊的掺杂分布，使得电场将注入载流子限制在更加靠近结附近的区域。这使渡越时间trr更短(但有相同的延迟时间td)。电流的急速切断使其波形逼近含有丰富谐波的方波，并常常用在谐波产生和脉冲整形中。
  3. 变容二极管
  变容二极管一词来源于可变电抗器。变容二极管也叫做可变电抗器二极管，或可变电容器(电容可变)二极管，原则上是一种任意的两端器件，其电容随直流偏置电压变化。p-n结是最简单的结构。肖特基势垒二极管能够完成同样的功能，特别适用于超高速工作。
  当p-n结处于反偏置时，耗尽层加宽，其电容按照方程变化。应避免正偏置以减小任何电容器都不希望的过大电流。电容与直流反偏置电压的依赖关系由结附近的掺杂分布确定。该依赖关系由下式给出   对于单边结，若较轻掺杂的分布由下式近似表示   那么可以证明   对于单边突变分布，m=0和s= 1/2。对于线性缓变结，m=1和s=1/3。如果m<0，则结被认为是超突变结。几种值得注意的特殊情况分别是，m=-1，-3/2，-5/3和s=1，2，3。
  变容二极管常应用于收音机和电视机的滤波器、振荡器、调谐电路以及参量放大器和自动频率控制电路中。