快恢复二极管（FRD）适用于需要高速开关的设备中。设计这种二极管对研发工程师是一个考验，可接受的导通电压和好的动态性能是矛盾的，他们必须找到两者的一个最优组合（即高的最大额定功率、低的瞬变可能性和低的关断能量Err）。

  所有快恢复二极管的通用属性

　1)在阳极附近，等离子水平必须比较浅，这样即使高的换流di/dt产生的反向电流峰值也不大。

　2)为了使通态压降在合理的范围内，避免反向电流峰值的瞬变，n-区域中间的载流子浓度不应该降的太低。

  3)阴极侧，等离子浓度应该相对比较高，这样二极管在尾部才不至于发生瞬变。然而，必须注意等离子浓度也不能太高，这样无益于软恢复特性的多余电荷会增加不必要的关断损耗。

  根据推理，一个普通的强发射极pin二极管无法满足快恢复二极管的载流子分布要求。相反，自然状态的载流子分布是与所需情况相悖的：阳极载流子浓度较高，阴极相对较低（见下图）。于是，工程师们必须使用各种方法来调制等离子形状，这也衍生出了众多的概念上不同的FRD设计方案。

 

图1 室温和j_pin=100A/cm²时pin二极管的i区载流子分布

　　

  有轴向载流子寿命分布的二极管

  如今最流行的等离子分布调制方案是在轴向方向的特定部位减少载流子寿命。开始时，选择的是有强发射极的pin二极管，对于快恢复二极管这是一个比较差的等离子分布。为了提高动态性能，二极管被高能粒子流照射，或者用重金属扩散，如金或铂。下图展示了这类二极管典型的载流子寿命方案。

  下面来简单讨论一下最常用的载流子寿命减少方法。

 

  图2 pin二极管典型轴向载流子寿命剖面图（阳极附近寿命水平较低，得到一个浅的等离子层，中间区域的高寿命载流子用来产生一个向阴极渐升的等离子浓度。用这种方法，可以得到低的瞬变发生率和合理的通态压降）

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