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到本年2017年，更残暴的工作呈现了——如今不只一切显卡缺货，就连隔一年一贬价的内存、SDD固态硬盘，报价也跟插了羽翼似的，用力猛窜！

　　要知道2015年买的乞丐版128G硬盘，现已不能再多装一个游戏了，每次战网晋级，小新的心都在叭叭的滴血。

　　憋了两年多没晋级装备的小新，如今要开端放声大哭了。

　　这内存闪存底子都买不起了！

　　有发烧友恶作剧，2012年，99元买了一条4GB金士顿DDR3内存，用了5年，以后还可以卖二手199元，出资回报率高过买房。


　　看近两年内存、固态硬盘的行情图，无论是低端仍是高端商品，哪里回收手机内存芯片？从2016年下半年开端，报价一路飞涨，简直一切内存、固态硬盘商品都平地上涨了300元左右。

　　本来估计本年花400多块钱晋级个500G固态硬盘的同学，直接傻眼。而那些上一年报价最低位时，没能下手花上200多块钱，买一块固态当系统盘的同学如今更是心如刀绞。

　　因为近半年存储商品报价上涨，直接把三星面向了半导体商场榜首名的宝座，挤下了强占这一方位23年的Intel。

　　IC Insights的陈述猜测，三星半导体本年Q2的销售额有149亿美元，而Intel的Q2销售额为144亿美元。逾越之势明显。

　　不过在本年的Q1，三星的销售额还在135亿美元，其时Intel的销售额为142亿美元，两者相差7亿美金。而在短短三个月时刻内，三星半导体生长起伏达到了10%，这在制作业范畴是极为无穷的生长。

　　在三星自家手机商场精神萎顿，芯片代工、屏幕商场并没有太多改善的状况下，可以说这些基本上简直满是由三星的存储芯片事务完结。

　　为何存储芯片会强势提价？

　　根据摩尔定律，电子商品特别是存储芯片商品应该是跟着技能的进步，报价大起伏跳水才对，如今怎样连着一年多的时刻持续上涨呢？

　　榜首个因素是，摩尔定律开端大范围失效。

　　摩尔定律适用于集成电路芯片稳步提升的年代，如今硅晶圆电子芯片的制程现已打破10nm，曩昔的制程技能现已无法再微缩了，有必要添加全新的出产技能。

　　多出来的技能都是钱！所以技能提升，电子商品报价不必定大幅跳水。

　　第二个因素是，无论是DRAM内存仍是NAND闪存，都处在技能换代期，产能跟不上。

　　如今电脑手机用的干流的DDR4内存，在技能上跟上代区别较大，金手指（接口）跟时序都有很大不一样，这致使很多厂商无法敏捷转型。

　　而上一代DDR3内存规范坚持了长达八年的时刻哪里回收手机内存芯片？，使得老一代内存商场早已饱和，终究致使专研DRAM技能的厂商日子一向不好过，很多厂商都半路出家研制NAND闪存去了。

　　等近来几代PC大规模遍及，DDR4变成商场干流，我们又开端纷纷进行装备晋级，这么的需要俄然到来，全部商场都措手不及。

　　如今三星、东芝、镁光现已能极好的量产DDR4内存，可是台湾的南亚科、华邦电、华亚科等等老牌大厂，因为没有提早预估好商场形势，没能提早进行技能规划，致使本年下半年才干量产。


　　再说NAND闪存，如今全新的3D NAND闪存技能，只要三星、镁光两家的技能较为老练，全体来看量产良率太低。直接拉高了本钱，价位天然高企。

　　第三个因素是，商场需要敏捷爆发，特别是公司商场。

　　除了小新上边说的个人PC商场需要敏捷上涨之外，公司商场对DDR4的需要呈现出爆发式的增加。

　　这些年云效劳成了各大科技公司的必争之地，各大互联网公司、科技公司纷纷在全球规划，建起了一个又一个的数据中心。耗费了很多CPU、GPU、DRAM、NAND等等。

　　云效劳商场可以说正在以爆破式的方法进行生长，直接从半导体大厂手中吃下了多半产能。留给花费级商场的商品就为数不多了。

　　特别是如今又出来了一个比特币挖矿工业，本年这个工业的开展也是指数级的。


　　还有一个火爆的智能手机商场。如今的智能手机耗费速度实在是太快了！大批用户都开端了一年一换的节奏。而近两年手机内存、闪存的根底规范，从前年的2+16G，一口气生长到了本年的4+64G，在一些寻求性价比的超级中端手机上，6+128G的销量越来越好。如今8+256G的智能手机都现已呈现了！

　　这相当于，商场总量不变，需要直接翻了两番！

　　僧多肉少能不提价吗？
　　当然，别的因素还有人民币贬值，这是上一年年底一波提价潮的元凶巨恶。还有业界老迈三星的小动作——三星直接把商场最紧缺的DRAM内存出产线砍掉，换做出产NAND闪存。因为其时NAND闪存的涨幅更大，并且需要上升速度更快！

　　这些直接致使三星在手机商场失落的状况下，敏捷在半导体商场兴起。

回收海力士（SK Hynix）字库内存闪存芯片

苹果供货商海力士（SK Hynix）今日发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技能多1.5倍，回收海力士（SK Hynix）字库内存闪存芯片单个 256Gb NAND 闪存芯片可以供给 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运转速度快两倍，读写性能快 20%。

海力士自从2016年11月开端出产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片。之前的 36 层  128Gb 3D NAND 芯片在2016年4月开端出产。回收海力士（SK Hynix）字库内存闪存芯片因为层数更多，使用现有的出产线，产能可以提高 30%。海力士将在本年下半年开端量产。

　　和 iPhone 7 Plus 配备的 NAND 闪存供货商来自东芝和海力士。一些 iPhone 7 选用东芝 48 层 3D BiCS NAND 芯片，这种芯片之前从未出现在别的商业商品中。别的 iPhone 7 类型选用海力士闪存芯片。

　　比 128 GB 类型更慢，前者的数据读取速度为 656 Mbps，后者为 856Mbps。东芝和海力士的内存芯片选用 15纳米工艺打造