1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构保证有**的机械性强度及可靠性
3.极高的**度，在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故**适合于高频，高密度类型的电源

工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者**小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
SMD高压贴片电容价格

LED阻容降压用-（代替插件CBB）
250V 224 1812封装
250V 334 1812封装
250V 474 1812封装
250V 684 1812封装
250V 105 1812封装
500V 224 1812封装
400V 474 1812封装
400V 105 2220封装
以上都为X7R材质，耐125度高温

LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容规格
高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用)
规格主要有:
102/1KV 1206封装
222/1KV 1206封装
472/1KV 1206封装
103/1KV 1206封装
2.2u/100V 1812封装
473/250V 1206封装
473/630V 1206封装
10u/16V 1206封装
10u/25V 1210封装
22u/10V 1206封装
22U/16V 1210封装更多规格欢迎查询和索样~
以上都为X7R或X5R材质，容量精度为10%

HID灯 常用高压贴片电容和大容量贴片电容规格如下 ：
1KV 100p 1206封装
1KV 221 1206封装
1KV 102 1206封装
1KV 222 1206封装
1KV 472 1206封装
1KV 103 1206封装
630V 104 1812封装
10U/25V 1210封装
10U/50V 1210封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。
损耗（DF）小于2。5%
可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~

无极灯我司专业生产高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB) 规格主要有:
1KV NP0 101 221 331 471 102。
100P 3KV NP0 1808/1812封装
220P 3KV NP0 1808或1812封装-
820P 2KV NP0 1812封装
102 2KV ?NP0 1812封装
100P 1KV NP0 1206封装
220P 1KV NP0 1206封装
470P 1KV NP0 1206封装
102 1KV?NP0 1206封装
0.47u 100V X7R 1206封装
0.68u?100V X7R 1206封装

节能灯
高压贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积(节能灯专用) 规格主要有:
223/100V 1206封装
102/1KV 1206封装
152/1KV 1206封装
332/1KV 1206封装
222/1KV 1206封装
250V/473 1206封装
400V/104 1210封装
更多规格欢迎查询和索样~

13430464310-张小姐 QQ：983802528

中高压贴片电容**
　　
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。　　
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
　　　　
高压贴片电容特性：
1.等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低，与同等钽电容或者铝电解电容相比，ESR小几十倍，能量利用率高，发热小，价格低。 　2.品种，规格齐全，体积小。容量从10pF到47uF，耐压从10V-6000V，体积**小可以达到1X0.5mm.

　3.无极性，可以使用在存在非常高的纹波电路或交流电路，而且装配更为方便。
4.性能稳定，即使被击穿也不会燃烧，安全性高。
应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
　　
　　低容量电容NP0材料（10-6800pF）：适用频率1-100MHz
　　1.温度系数：0±30ppm／℃，-55℃～125℃；
　　2.电容量漂移：不超过±0.3％或±0.05pF（取较大者）。
　　3.老化特性：无
　　
　　高容量电容X7R材料（6800pF以上）：适用频率不超过10KHz
　　1.温度特性：不超过±15％，-55℃～125℃。
　　2.老化特性：每10年变化1％ΔC，表现为10年变化约5％。

　　工作温度为环境温度与元件本体温升之和。
　　降额设计
　　设计者在选用电容器工作电压时，应考虑施加在电容器两端的直流电压与交流电压峰值之和不能超过额定电压。为保证产品及线路的可靠性，在实际设计时建议降额使用
　　
　　使用注意事项
　　工作温度
　　电容器设计类别温度范围有−55℃～125℃、−55℃～85℃两种，设计者必须确保工作温度符合此范围。为延长电容器的使用寿命，**工作温度限制在低于上限类别温度10℃～15℃。设计者考虑电容器的
有需求技术沟通与样品请加Q详谈
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